- 引脚图
- 焊盘图
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DMN2710UFBQ-7
DMN2710UFBQ-7
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2710UFBQ-7
- 商品编号
- C29339511
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 720mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±6V |
商品概述
该MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持优异的开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择。
商品特性
- 占位面积仅为0.6mm²，比SOT23封装小13倍
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- ESD保护栅极
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该器件通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 便携式电子设备