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AT25XE161D-SSHN-B
16-Mbit 1.65V - 3.6V 范围 SPI 串行闪存，支持多 I/O
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- 描述
- 特性：电压范围：1.65V。与串行外设接口（SPI）兼容。支持SPI模式0和3。支持双输出操作（1-1-2）。支持四输出操作（1-1-4）。支持四I/O/XiP操作（1-4-4和0-4-4）
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25XE161D-SSHN-B
- 商品编号
- C29327376
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.7625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 待机电流 | 30uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 工作电压范围：1.65 V ~ 3.6 V
- 兼容串行外设接口
- 支持SPI模式0和3
- 支持双输出操作（1-1-2）
- 支持四输出操作（1-1-4）
- 支持四路输入/输出与就地执行操作（1-4-4和0-4-4）
- 最高133 MHz工作频率
- 灵活、优化的擦除架构
- 256字节页擦除
- 4千字节块擦除
- 32千字节块擦除
- 64千字节块擦除
- 全芯片擦除
- 灵活的编程能力
- 字节/页编程（1至256字节）
- 支持顺序编程模式
- 擦除/编程挂起与恢复功能
- 1个128字节工厂预编程的标识符
- 3×128字节一次性可编程安全寄存器
- 软件控制的复位与终止命令
- 多种存储器保护方案
- 独立的块保护
- 用户可定义存储器阵列起始或结束处的受保护区域（默认）
- 读-修改-写命令 - 在单条命令中模拟SRAM写入
- 活动状态中断 – 当RDY/BSY位被清除时自动向主机生成中断
- 软件控制的复位与终止命令
- 硬件复位引脚选项
- JEDEC硬件复位
- 非易失性/易失性状态寄存器
- JEDEC标准制造商与器件ID
- 串行闪存可发现参数
- 低功耗：
- 30 μA待机电流（典型值）
- 8.2 μA深度掉电电流（典型值）
- 7 nA超深度掉电电流（典型值）
- 8.3 mA有效读取电流（1-1-1 — 104 MHz）
- 10.1 mA编程电流
- 10.7 mA擦除电流
- 用户可配置和自动的输入/输出引脚驱动强度等级
- 耐久性：100,000次编程/擦除周期
- 数据保持：20年
- 工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
- 行业标准绿色（无铅/无卤化物/符合RoHS）封装选项
- 8引脚SOIC（150密耳）
- 8引脚SOIC（208密耳）
- 8焊盘超薄DFN（2×3×0.6 mm）
- 8球WLCSP（3×2×3球矩阵）
- 裸片/晶圆 — 请联系瑞萨电子获取更多信息