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SSM3K324R,LF(B
N沟道MOS管
- 描述
- 特性：1.8V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 56mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 72mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 109mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K324R,LF(B
- 商品编号
- C29268018
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 109mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 1.8 V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻:在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 56 mΩ(最大值);在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 72 mΩ(最大值);在VGS = 1.8 V时,RDS(ON) = 109 mΩ(最大值)
应用领域
- 电源管理开关
- 直流-直流转换器
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