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SSM3K324R,LF(B
N沟道MOS管
- 描述
- 特性：1.8V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 56mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 72mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 109mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K324R,LF(B
- 商品编号
- C29268018
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 109mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 小尺寸封装（5x6 mm），设计紧凑
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动-电池保护-或门二极管应用
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