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SIJH5100E-T1-GE3
SIJH5100E-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJH5100E-T1-GE3
- 商品编号
- C29261746
- 商品封装
- PowerPAK8x8L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 277A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.24nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |