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SCT018H65G3AG
汽车级650V碳化硅功率MOSFET
- 描述
- 此碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻，同时具备低电容和极高的开关操作性能，可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量方面的性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT018H65G3AG
- 商品编号
- C29256241
- 商品封装
- H2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 385W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.124nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 184pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的R_DS(on)，同时具有低电容和极高的开关操作特性，这些特性提升了应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
商品特性
- AEC-Q101认证
- 整个温度范围内R_DS(on)极低
- 高速开关性能
- 极快且稳健的本征体二极管
- 用于提高效率的源极感应引脚
应用领域
- 主逆变器（电力牵引）
- 电动汽车/混合动力汽车DC/DC转换器
- 车载充电器（OBC）