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IPDQ60T022S7XTMA1引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPDQ60T022S7XTMA1

N沟道 600V 90A

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商品型号
IPDQ60T022S7XTMA1
商品编号
C29208252
商品封装
SOP-22​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@12V
耗散功率(Pd)416W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)150nC
属性参数值
输入电容(Ciss)5.64nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)89pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

CoolMOS S7T 为低频开关应用提供了价格性能比。其集成的温度传感器提高了结温检测的精度和鲁棒性,同时保持了简单且无缝的实现方式。CoolMOS S7T 针对“静态开关”和高电流应用进行了优化。新的温度传感器增强了 S7 系列的特性,实现了功率晶体管的可能利用率。

商品特性

  • 在低频开关应用中优化了价格性能比
  • 具备高脉冲电流能力
  • 以最低的系统成本实现无缝诊断
  • 具备用于保护和优化热器件利用成本的温度传感功能

应用领域

  • 固态继电器和断路器
  • 高功率/高性能应用中的线路整流

数据手册PDF