我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
WPM3028B-8/TR实物图
  • WPM3028B-8/TR商品缩略图
  • WPM3028B-8/TR商品缩略图
  • WPM3028B-8/TR商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

WPM3028B-8/TR

P沟道 耐压:30V 电流:36A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
WPM3028B 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
WPM3028B-8/TR
商品编号
C2879855
商品封装
PDFN3333-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.103175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.995nF
反向传输电容(Crss)271pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)355pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)
个
起订量：5 个5000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交34单