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ASXM028120P
N沟道碳化硅功率MOSFET
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- 描述
- 特征：耐压 1200V，导通电阻低至44mΩ（@18V），持续电流 88A（@25℃），结温范围 - 55~175℃，具备高阻断电压、低导通电阻、低寄生电容、高速开关特性，反向恢复时间极短； 功能：实现高压电路的高效开关控制，大幅降低导通 / 开关损耗；适配高频拓扑电路，提升电能转换效率；高结温特性可适应恶劣温度工况，保障电路稳定运行； 应用：光伏逆变器的功率级主开关电路、工业高压开关电源的核心开关单元、储能系统的变流器模块、工业伺服驱动的高压功率电路等
- 品牌名称
- AnBon(安邦)
- 商品型号
- ASXM028120P
- 商品编号
- C29118251
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 124pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@18V,40A |
商品特性
- 宽禁带SiC MOSFET技术
- 高阻断电压下低导通电阻
- 高速开关下低电容
- 低反向恢复(Qrr)
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 电机驱动
- 高压DC/DC转换器