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BSS123-13-F
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有、高密度和先进的沟槽技术生产。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS123-13-F
- 商品编号
- C29118101
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@45V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.5pF |
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