F10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 品牌名称晶导微电子
商品型号
F10N65商品编号
C2875697商品封装
ITO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
1.55克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,5A | |
耗散功率(Pd) | 38W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
栅极电荷量(Qg) | 31nC@520V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.53nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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