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F12N65
N沟道 耐压:650V 电流:12A 停产
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- 描述
- F12N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F12N65
- 商品编号
- C2875696
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |