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D4N65
N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- D4N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- D4N65
- 商品编号
- C2875695
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 坚固可靠
- 表面贴装封装
- 高功率和大电流处理能力
- 超高密度单元设计，实现极低的导通态漏源电阻
- 符合RoHS标准且无卤