温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AIMZH120R120M1TXKSA1
碳化硅沟槽MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMZH120R120M1TXKSA1
- 商品编号
- C29097437
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 耗散功率(Pd) | 133W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 458pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
商品特性
- V_DSS = 1200 V，T_vj = -55...175°C
- I_DDC = 22 A，T_C = 25°C
- R_DS(on) = 117 mΩ，V_GS = 20 V，T_vj = 25°C
- 采用性能优化的新一代芯片技术，改进了R_DSon × A品质因数
- 提高的推荐导通电压，以降低导通电阻
- 业界领先的开关能量，降低开关损耗和散热需求
- 最低的器件电容，支持更高的开关速度和功率密度
- 低C_rss/C_iss比值与高栅极阈值电压相结合，避免寄生导通并支持单极性栅极驱动
- 降低的总栅极电荷，减少驱动功率和损耗
- 采用.XT芯片贴装技术，实现业界领先的热性能
- 提供检测引脚以优化开关性能
- 适用于高压爬电距离要求
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC转换器
- 辅助驱动