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L2SA1036KRLT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

L2SA1036KRLT1G

PNP 电流:0.5A 电压:32V

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描述
特性:大集电极电流:IC(Max.) = -500mA。 低集电极-发射极饱和电压,适合低电压操作。 产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 结构:外延平面型PNP硅晶体管
商品型号
L2SA1036KRLT1G
商品编号
C2875415
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)32V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)120@10mA,3V
属性参数值
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP

数据手册PDF