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ATM3400NSA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM3400NSA

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
特性:沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 52mΩ (VGS = 2.5V)。 SOT-23封装。应用:DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
商品型号
ATM3400NSA
商品编号
C2874198
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.042克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))52mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.05nF
反向传输电容(Crss)77pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
起订量:20 个3000个/圆盘

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