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ATM3400NSA
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 52mΩ (VGS = 2.5V)。 SOT-23封装。应用：DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM3400NSA
- 商品编号
- C2874198
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款采用5mm × 6mm SON封装的25V、1.3mΩ功率MOSFET旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(Trench FET)功率MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷
- 导通电阻RDS(ON) < 35 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 52 mΩ(栅源电压VGS = 2.5 V)
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 便携式设备的负载开关
- 电池开关