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ISC032N12LM6ATMA1
N沟道、逻辑电平、低导通电阻、低反向恢复电荷、高雪崩能量额定值的功率晶体管
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC032N12LM6ATMA1
- 商品编号
- C29064894
- 商品封装
- PG-TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 211W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的栅极电荷×导通电阻乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷 \left(Qrr\right)
- 高雪崩能量额定值
- 175℃的工作温度
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1级