温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GT023N10Q
耐压:100V 电流:226A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：226A 阈值电压(Vgs(th))：4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.1mΩ@10V 封装：TO-247
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT023N10Q
- 商品编号
- C29028826
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 226A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.488nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路