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DRV8353SMRTAT

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描述: DRV8353M 具有电流分流放大器和扩展温度范围的最大 102V 三相智能栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: DRV8353SMRTAT
商品编号: C2868062
商品封装: HVQFN-40-EP(6x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.266667克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	无刷直流(BLDC)电机驱动芯片

	属性	参数值
	功能特性	软开关；交错导通保护

商品概述

DRV8353M 系列器件是高度集成的栅极驱动器，适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机应用。这类应用包括BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件型号提供了可选的集成式分流放大器以支持不同的电机控制方案，还提供了降压稳压器，以为栅极驱动器或外部控制器供电。DRV8353M 采用智能栅极驱动 (SGD) 架构，减少了MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需的外部元件数量。SGD 架构还可优化死区时间以防止击穿问题，在通过 MOSFET 压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI)方面带来了灵活性，并可通过 VGS 监控器防止栅极短路问题。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的dV/dt 寄生栅极开启事件。该系列器件支持各种 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和独立模式），可简化与外部控制器的连接。这些模式可减少电机驱动器 PWM 控制信号所需的控制器输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式，因此可通过内部阻塞换向表轻松对 BLDC 电机进行传感器式梯形控制。

商品特性

9V 至 100V 三半桥栅极驱动器
扩展工作TA范围为 -55℃ 至 125℃
可选的三个低侧电流分流放大器
智能栅极驱动架构
可调压摆率控制，可优化 EMI 性能
VGS 握手和最小死区时间插入，可避免发生击穿
50mA 至 1A 峰值拉电流
100mA 至 2A 峰值灌电流
通过强下拉能力减小 dV/dt
集成栅极驱动器电源
高侧倍增电荷泵可实现 100% PWM 占空比控制
低侧线性稳压器
集成三个电流分流放大器
可调增益（5、10、20、40 V/V）
双向或单向支持
支持6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
支持 120° 有传感器运行
提供 SPI 或硬件接口
低功耗睡眠模式（VVM = 48 V 时为 20µA）
集成保护特性
VM 欠压锁定 (UVLO)
栅极驱动电源欠压 (GDUV)
MOSFET VDS 过流保护 (OCP)
MOSFET 击穿保护
栅极驱动器故障 (GDF)
热警告和热关断 (OTW/OTSD)
故障状态指示器 (nFAULT)

应用领域

三相无刷直流 (BLDC) 电机模块
风扇、风机和泵