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TPH1R306P1,L1Q(M
硅N沟道MOSFET，适用于高效DC-DC转换器，具备高速开关特性
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH1R306P1,L1Q(M
- 商品编号
- C28999929
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.96mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.16nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小:QSW = 22 nC(典型值)
- 输出电荷小:Qoss = 77.5 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 0.96 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)
- 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器