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场效应管(MOSFET)
TPH1R306P1,L1Q(M
引脚图
此图展示了型号为 TPH1R306P1,L1Q(M 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 TPH1R306P1,L1Q(M 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
TPH1R306P1,L1Q(M
TPH1R306P1,L1Q(M
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPH1R306P1,L1Q(M
商品编号
C28999929
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
资料纠错
参数完善中
商品特性
高速开关
栅极电荷小:QSW = 22 nC(典型值)
输出电荷小:Qoss = 77.5 nC(典型值)
漏源导通电阻低:RDS(ON) = 0.96 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)
增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用领域
高效 DC-DC 转换器
开关稳压器
电机驱动器
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