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场效应管(MOSFET)
TPH1R306P1,L1Q(M
引脚图
此图展示了型号为 TPH1R306P1,L1Q(M 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 TPH1R306P1,L1Q(M 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
TPH1R306P1,L1Q(M
TPH1R306P1,L1Q(M
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPH1R306P1,L1Q(M
商品编号
C28999929
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
资料纠错
参数完善中
商品特性
先进沟槽工艺技术
用于超低导通电阻的高密度单元设计
符合欧盟指令 2011/65/EU(RoHS)和 2002/96/EC(WEEE)
根据 IEC 61249-2-21 标准为无卤产品
应用领域
负载开关
功率放大器开关
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