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SIRA12DDP-T1-GE3
N沟道，30 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 100% Rg and UIS tested。应用：高功率密度DC/DC同步整流。 VRMs和嵌入式DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA12DDP-T1-GE3
- 商品编号
- C28972945
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.254克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 545pF |