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RFASWE660DTF03实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RFASWE660DTF03

10掷单刀射频开关,0.7至2.7GHz宽带频率范围

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描述
RFASWE660DTF03是一款单刀十掷(SP10T)天线开关,集成了移动行业处理器接口(MIPI)控制器。采用先进的开关技术,保持低插入损耗和高隔离度,适用于UMTS、CDMA2000、EDGE、GSM和LTE应用。
品牌名称
Walsin(华新科)
商品型号
RFASWE660DTF03
商品编号
C2859383
商品封装
QFN-20-EP(2.4x2.4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.037克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录射频开关
频率-
隔离度26dB
属性参数值
插入损耗0.75dB
工作电压2.5V~3.5V
工作温度-30℃~+90℃

商品概述

RFASWE660DTF03是一款单刀十掷(SP10T)天线开关,集成了移动行业处理器接口(MIPI)控制器。采用先进的开关技术,RFASWE660DTF03可保持低插入损耗和高隔离度,使其成为UMTS、CDMA2000、EDGE、GSM和LTE应用的理想选择。 该设计集成了十个低损耗收发(TRX)端口。该开关还具有出色的二阶/三阶互调失真(IMD2/IMD3)性能。 开关由MIPI解码器控制,所有引脚的人体模型(HBM)静电放电(ESD)耐受能力高达2kV。 只要不施加直流电压,射频路径上无需隔直电容。RFASWE660DTF03采用紧凑的2.4x2.4x0.45 mm³封装制造。

商品特性

  • 低插入损耗和低失真
  • 宽带频率范围:0.7至2.7 GHz
  • 高隔离度和线性度
  • 集成MIPI RFFE从控制器
  • 所有引脚的人体模型(HBM)静电放电(ESD)耐受能力高达2kV
  • 小型QFN封装(20引脚,2.4x2.4x0.45 mm³)
  • 潮湿敏感度等级3(MSL3)

应用领域

  • 2G/3G/4G多模手机(LTE、UMTS、CDMA2000、EDGE、GSM、TDD-LTE、TD-SCDMA)

数据手册PDF