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NVBG040N120M3S
NVBG040N120M3S
- 描述
- 特性：典型导通电阻 RDS(on) = 40 mΩ（VGS = 18 V 时）。 超低栅极电荷（QG(tot) = 75 nC）。 低电容高速开关（Cₒₛₛ = 80 pF）。 100% 雪崩测试。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 该器件无卤化物，符合 RoHS 豁免 7a 要求，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBG040N120M3S
- 商品编号
- C28897673
- 商品封装
- D2PAK-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ |