温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDP10N055TH
MDP10N055TH
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDP10N055TH
- 商品编号
- C28880394
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.859333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.429nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.108nF |
商品概述
MDP10N055TH采用了先进的美格纳半导体（Magnachip）MOSFET技术，具备低导通电阻、快速开关性能和卓越品质等高性能特点。这些器件还可应用于工业领域，如电动自行车（电动车）的低功率驱动器、DC/DC转换器以及通用应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V
- 当栅源电压(VGS) = 10 V时,漏极电流(ID) = 120 A
- 当栅源电压(VGS) = 10 V时,漏源导通电阻(VDS(ON)) < 5.5 mΩ
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UI L)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 工作温度可达175°C
应用领域
- 电动自行车(电动车)的低功率驱动器
- DC/DC转换器
- 通用应用