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IPAN60R180CM8XKSA1

600V CoolMOs CM8功率晶体管

描述: 8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势、为所有产品实施快速体二极管 (CFD)，对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPAN60R180CM8XKSA1
商品编号: C28858717
商品封装: TO-220FP
包装方式: 管装
商品毛重: 3.573333克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 第八代平台是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ CM8系列是CoolMOS™ 7的换代产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如低振铃倾向，所有产品均采用快速体二极管（CFD），具备出色的硬换向鲁棒性和优秀的ESD能力。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

商品特性

凭借出色的换向鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
显著降低开关损耗和传导损耗
超低的 RDS(on)^*A 实现了每封装产品最佳的 RDS(on)

应用领域

电源和转换器
功率因数校正(PFC)级和 LLC 谐振转换器
高效开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	25W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.7V
	栅极电荷量(Qg)	17nC@10V
	输入电容(Ciss)	743pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	11pF