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IPAN60R180CM8XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPAN60R180CM8XKSA1

600V CoolMOs CM8功率晶体管

描述
8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如低振铃趋势、为所有产品实施快速体二极管 (CFD),对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
商品型号
IPAN60R180CM8XKSA1
商品编号
C28858717
商品封装
TO-220FP​
包装方式
管装
商品毛重
3.573333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
耗散功率(Pd)25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.7V@0.14mA
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)743pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)11pF

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