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IRF830APBF-JSM
1个N沟道 耐压:550V 电流:4A
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- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF830APBF-JSM
- 商品编号
- C2857175
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 4.0A、550V,RDS(on)(典型值)= 2.2 Ω(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正
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