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PJM07P20SA
1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 特性：SOT-23。 低栅极电荷。 高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)。 VDS = -20V，ID = -7A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -10V。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM07P20SA
- 商品编号
- C2856842
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 242pF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 在VGS = -10 V时,RDS(on) < 28 mΩ
- SOT - 23封装
应用领域
- 负载开关及PWM应用