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IPDQ60R016CM8XTMA1

600V 135A

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描述: 第八代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPDQ60R016CM8XTMA1
商品编号: C28760716
商品封装: PG-HDSOP-22
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，其根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如低振铃趋势，为所有产品均配备了快速体二极管（CFD），具备出色的抗硬换向能力和优秀的ESD性能。此外，CM8极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效。

商品特性

凭借出色的换向鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
显著降低开关和导通损耗
超低RDS(on)*A实现了同类产品中每封装最佳的RDS(on)

应用领域

-电源和转换器-PFC级和LLC谐振转换器-高效开关应用-服务器-电信-电动汽车充电-不间断电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	135A
	导通电阻(RDS(on))	13mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	625W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.2V
	栅极电荷量(Qg)	171nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.545nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	91pF