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IPDQ60R016CM8XTMA1
600V 135A
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- 描述
- 第八代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R016CM8XTMA1
- 商品编号
- C28760716
- 商品封装
- PG-HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.545nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个750个/圆盘
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