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CJU20N06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- CJU20N06A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rps(on)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU20N06A
- 商品编号
- C2847903
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AO4842-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且栅极电压低至2.5V时仍可正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 8.5 A
- 栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 19 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源