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TPHR8504PL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@1.0mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 小型封装，尺寸为 1.6 x 1.6 mm
- 栅极具备 ESD 保护
- ESD 保护能力：2000V
- 产品材料符合 RoHS 要求且无卤
- S 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件
应用领域
- 电源管理负载开关
- 电平转换
- 便携式应用，如手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理 (PDA)、视频游戏、手持电脑等
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