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2N7002E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002E

1个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A

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描述
漏源电压(V) 60 连续漏极电流(Id)(A) 0.34 阈值电压(V) 2.5 功率(W) 0.35 导通电阻10V(Ω) 2500 输入电容(pF) 18
商品型号
2N7002E
商品编号
C2844157
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)340mA
导通电阻(RDS(on))5.3Ω@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@1mA
输入电容(Ciss)40pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)30pF

商品特性

  • 60V/120A
  • RDS(ON)=4.2mΩ(典型值)@ VGS=10V
  • 提供无铅环保器件
  • 低导通电阻,可将传导损耗降至最低
  • 高雪崩电流
  • 100%经过雪崩测试

应用领域

  • 电源
  • DC-DC转换器
  • 不间断电源(UPS)
  • 电池管理系统

数据手册PDF