温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7002E
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 漏源电压(V) 60 连续漏极电流(Id)(A) 0.34 阈值电压(V) 2.5 功率(W) 0.35 导通电阻10V(Ω) 2500 输入电容(pF) 18
- 品牌名称
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 商品型号
- 2N7002E
- 商品编号
- C2844157
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 静电放电(ESD)保护
- 先进沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 关断状态下漏电流极低
- 符合欧盟 RoHS 2002/95/EC 指令
- 无卤
应用领域
- 专为电池供电系统、固态继电器驱动器、继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等设计。
相似推荐
其他推荐