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HYG024N03LR1B
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:160A
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- 描述
- 特性：30V/160A，RDS(ON) = 2.1mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 2.7mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG024N03LR1B
- 商品编号
- C2843503
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.992nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 566pF |
商品概述
G2012采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：20V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：12A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：< 12mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 2.5V时）：< 18mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器