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SL9945
N沟道增强型MOSFET 2个N沟道 耐压:60V 电流:3.6A
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- 描述
- 这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺，以实现低导通电阻（rDS(on)），并确保将功率损耗和散热降至最低。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL9945
- 商品编号
- C2843318
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款互补MOSFET器件采用仙童半导体（Fairchild）先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- Q1：N沟道
- 6 A、20 V。在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 18 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 28 mΩ
- Q2：P沟道
- -4.4 A、20 V。在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 35 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 57 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- DC/DC转换
- 电源管理
- 负载开关