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VSE002N03MS-G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VSE002N03MS-G

N沟道,电流:155A,耐压:30V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:增强模式。 低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 VitoMOSⅡ技术。 快速开关和高效率。 ESD保护HBM ±1500V。 无铅镀铅;符合RoHS标准;无卤
品牌名称
Vergiga(威兆)
商品型号
VSE002N03MS-G
商品编号
C2842726
商品封装
PDFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0665克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)155A
导通电阻(RDS(on))2.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)69W
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)2.82nF
反向传输电容(Crss)90pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.33nF

商品特性

  • 30V/100A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 2 mΩ(最大值)
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 2.4 mΩ(最大值)
  • 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 3.8 mΩ(最大值)
  • 100%进行UIS + Rg测试
  • 静电防护
  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。

数据手册PDF