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VSE002N03MS-G
N沟道,电流:155A,耐压:30V
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- 描述
- 特性：增强模式。 低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 VitoMOSⅡ技术。 快速开关和高效率。 ESD保护HBM ±1500V。 无铅镀铅；符合RoHS标准；无卤
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSE002N03MS-G
- 商品编号
- C2842726
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0665克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 155A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.33nF |
商品特性
- 增强型
- 在VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on)低
- VitoMOS II技术
- 快速开关且效率高
- 静电放电(ESD)保护,人体模型(HBM)±1500V
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准;无卤素
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。