GT60N12T
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 120V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
耗散功率(Pd) | 140W | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss) | - |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+¥2.91
10+¥2.3
50+¥1.82¥91
100+¥1.5¥75
500+¥1.35¥67.5
1000+¥1.26¥63
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
147
购买数量
(50个/管,最小起订量 1 个 )个
起订量:1 个50个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
客服
芯媒体
反馈
收起