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G2012
N沟道增强型功率MOSFET,电流:12A,耐压:20V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2012
- 商品编号
- C2842556
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.255nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
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150+￥0.3582
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总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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