温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
5N60F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.95Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 44.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
5+￥1.0838
50+￥0.7999￥40
150+￥0.7027￥35.14
500+￥0.5815￥29.08
2000+￥0.5275￥26.38
5000+￥0.495￥24.75
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
25
购买数量
(50个/管，最小起订量 5 个 )个
起订量：5 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
客服
芯媒体
反馈
收起