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SIHF074N65E-GE3
E系列功率MOSFET
- 描述
- 特性：第四代E系列技术。 低品质因数 (FOM) R(on) × Q(g)。 低有效电容 (C(O(er)))。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHF074N65E-GE3
- 商品编号
- C28546437
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.904nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V
- 漏极电流（ID） = -5.6 A
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 42 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 55 mΩ
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS