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SM3419NHQAC-TRG
N沟道增强型MOSFET,电流:100A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Sinopower(大中)
- 商品型号
- SM3419NHQAC-TRG
- 商品编号
- C2842172
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.523nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.11nF |
商品特性
- 30V/100A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 2 mΩ(最大值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 2.4 mΩ(最大值)
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 3.8 mΩ(最大值)
- 100%进行UIS + Rg测试
- 静电防护
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
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