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SM4033NHKPC-TRG
N沟道增强型MOSFET,电流:80A,耐压:40V
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- 品牌名称
- Sinopower(大中)
- 商品型号
- SM4033NHKPC-TRG
- 商品编号
- C2842168
- 商品封装
- DFN-8(6x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
G1601采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) = 2.8 mΩ(最大值)
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 3.9 mΩ(最大值)
- 40V/80A
- 经过100% UIS + Rg测试
- 可靠耐用
- 更低的Qg和Qgd,适用于高速开关
- 更低的RDS(ON),以最小化传导损耗
- 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理。
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