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APW8868BQBI-TRG

降压型 15A 3V~28V

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描述: APW8868B是一款集成了同步降压PWM控制器和线性稳压器的电源管理芯片,适用于DDR2和DDR3/DDR3L内存系统。它提供了一个完整的电源解决方案,支持3V到28V的输入电压范围,输出电压可调范围为0.675V到5.5V。
品牌名称: Sinopower(大中)
商品型号: APW8868BQBI-TRG
商品编号: C2842165
商品封装: QFN-20-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.192克(g)

商品参数

商品概述

APW8868B集成了一个同步降压PWM控制器以生成VDDQ，以及一个源型和灌型LDO线性稳压器以生成VTT。在空间有限的系统中，它能提供最低的总体解决方案成本。 APW8868B在PFM或PWM模式下均能提供出色的瞬态响应和精确的直流电压输出。在脉冲频率模式（PFM）下，APW8868B通过负载调制开关频率，在轻载到重载范围内实现了非常高的效率。在TQFN - 20封装中，强制PWM模式几乎以恒定频率工作，以满足低噪声要求。 APW8868B具备精确的限流、输出欠压和输出过压保护功能。上电复位功能可监控VCC上的电压，防止上电期间的误操作。 LDO旨在为DDR - SDRAM端接提供具有双向输出电流的稳压电压。该器件集成了两个功率晶体管，可提供和吸收高达1.5A的电流。它还集成了限流和热关断保护功能。 LDO的输出电压跟踪VREF引脚的电压。内部电阻分压器用于为VTTREF和VTT电压提供VREF的一半电压。VTT输出电压仅需20μF的陶瓷输出电容即可实现稳定和快速的瞬态响应。S3和S5引脚为VTT提供睡眠状态（S3状态），为器件提供挂起状态（S4/S5状态），当S5和S3都被拉低时，器件为VTT和VTTREF提供软关断功能。

商品特性

高输入电压范围：3V至28V输入电源
提供可调输出电压：0.675V至5.5V，全温度范围内精度±1%
集成MOSFET驱动器和自举正向P沟道MOSFET
低静态电流（200μA）
出色的线路和负载瞬态响应
PFM模式可提高轻载效率
恒定导通时间控制器方案 - PWM模式下的开关频率补偿 - 在PWM模式下，直流输出电流时开关频率可调，范围为400kHz至550kHz
S3和S5引脚可控制器件处于S0、S3或S4/S5状态
电源正常监控
70%欠压保护（UVP）
±125%过压保护（OVP）
可调限流保护 - 使用检测低端MOSFET的RDS(ON)
TQFN - 20 3mmx3mm薄型封装
无铅（符合RoHS标准）
源型和灌型电流高达1.5A
输出电压快速瞬态响应
输出陶瓷电容至少支持10μF MLCC
VTT和VTTREF通过内部分压器跟踪VDDQSNS的一半电压
VTT和VTTREF精度±20mV
独立过流限制（OCL）
热关断保护

应用领域

DDR2和DDR3/DDR3L内存电源
SSTL - 2、SSTL - 18和HSTL端接

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	3V~28V
	输出电压	675mV~5.5V
	输出电流	15A
	开关频率	400kHz~550kHz
	工作温度	-40℃~+85℃

	属性	参数值
	同步整流	是
	输出通道数	2
	拓扑结构	降压式
	静态电流(Iq)	220uA
	开关管(内置/外置)	内置
	输出类型	可调