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SM2001CSKC-TRG

双增强模式MOSFET,电流:9.5A,耐压:20V

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品牌名称: Sinopower(大中)
商品型号: SM2001CSKC-TRG
商品编号: C2842164
商品封装: SOP-8-4.4mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.218克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

N沟道
- 20V / 9.5A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 14mΩ(最大值)
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 18mΩ(最大值)
P沟道
- -20V / -6A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 45mΩ(最大值)
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 65mΩ(最大值)
100%进行UIS和Rg测试
可靠耐用
提供无铅环保器件

应用领域

-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	9.5A
	导通电阻(RDS(on))	14mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	2W
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	8.7nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	795pF
	反向传输电容(Crss)	118pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	160pF