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SM2013PSKPC-TRG
P沟道增强型MOSFET,电流:100A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Sinopower(大中)
- 商品型号
- SM2013PSKPC-TRG
- 商品编号
- C2842163
- 商品封装
- DFN-8(6x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 215nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.925nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.235nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.355nF |
商品特性
- -20V/-100A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 3.0 mΩ(最大值)
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 3.9 mΩ(最大值)
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 5.7 mΩ(最大值)
- 经过100% UIS + Rg测试
- 可靠且耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-便携式设备应用-笔记本电脑应用-锂离子电池应用
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