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APM2324AAC-TRG
N沟道增强型MOSFET,电流:3A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Sinopower(大中)
- 商品型号
- APM2324AAC-TRG
- 商品编号
- C2842156
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V
- 栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏极电流（IDS）为 -2.0A 时，导通电阻（RDS(ON)） = 150mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（IDS）为 -2.8A 时，导通电阻（RDS(ON)） = 110mΩ
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 要求且无卤素。
- S 前缀适用于汽车及其他需要特殊产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- 数码相机（DSC）
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