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APM2324AAC-TRG
N沟道增强型MOSFET,电流:3A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Sinopower(大中)
- 商品型号
- APM2324AAC-TRG
- 商品编号
- C2842156
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 20V/3A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 50mΩ(典型值)
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 65mΩ(典型值)
- 当VGS = 1.8V时,RDS(ON) = 120mΩ(典型值)
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
- FC21M2-32.768-NTLLLDT
- FC31M2-32.768-NTLLLDT
- FR07S4-32.768-NTLLLDT
- FR07S4-32.768-N07LLDT
- FR08S4-32.768-N06LLDT
- FL26S2-32.768-N09LLDT
- XC32M4-12.000-F08LJDT
- XC32M4-12.000-F10NNFT
- XC32M4-12.000-F12JJHP
- XC32M4-24.000-F20LJDT
- XC32M4-25.000-F20NJDT
- XC32M4-16.000-F20NLDT
- XC32M4-8.000-F12LJDT
- XC32M4-37.400-F16NLDT
- XC22M4-16.000-F08LGDW
- CO22H4-24.000-WPJDTSN
- CO75H4-48.000-33JDTSN
- XC22M4-16.000-F10LJDT
- CO32H4-32K768-33KDTSN
- HTTO100000TTDW
- CO53H4-100.000-33JDTSN