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CSD87501LT
2个N沟道 耐压:30V 电流:14A
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- 描述
- CSD87501L 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87501LT
- 商品编号
- C2841784
- 商品封装
- PicostAr-10(1.5x3.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 198pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品概述
此30V、6.6mΩ、3.37mmx1.47mm LGA双路NexFET功率MOSFET旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置，非常适用于多节电池组应用和小型手持设备。
商品特性
- 低导通电阻
- 3.37mm×1.47mm的小尺寸
- 超薄– 高0.2mm
- 无铅
- 符合RoHS
- 无卤素
- 栅极ESD保护
应用领域
- 电池管理
- 电池保护
- USB Type-C/PD
优惠活动
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