NT5CC512M8EN-EK

DDR3 4Gb SDRAM

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描述: 4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性，所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。
品牌名称: Nanya(南亚科技)
商品型号: NT5CC512M8EN-EK
商品编号: C2841152
商品封装: VFBGA-78(8x10.5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.43克(g)

商品参数

商品概述

4Gb双倍数据速率第三代（DDR3(L)）动态随机存取存储器是一种高速CMOS同步动态随机存取存储器，包含4,294,967,296个存储位。其内部配置为八组存储体结构。该4Gb芯片的组织形式为64M位 × 8位输入/输出 × 8组存储体或32M位 × 16位输入/输出 × 8组存储体。这些同步器件可实现高达2133 Mb/秒/引脚的高速双倍数据速率传输速率，适用于通用应用。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L)动态随机存取存储器特性，所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入信号在差分时钟的交叉点（CK上升沿和CK（上划线）下降沿）被锁存。所有输入/输出均以源同步方式与单端数据选通或差分数据选通对同步。这些器件采用1.5V ± 0.075V或1.35V -0.067V / +0.1V单电源供电，并提供球栅阵列封装。

商品特性

符合DDR3基本规范
8n预取架构
差分时钟（CK/CK（上划线））和数据选通（DQS/DQS（上划线））
数据输入/输出、数据选通和数据掩码上的双倍数据速率
通过动态随机存取存储器内置温度传感器实现自动自刷新
自动刷新和自刷新模式
掉电模式
可配置驱动强度以提升系统兼容性
可配置片内终端电阻
通过外部ZQ焊盘（240欧姆 ± 1%）进行驱动强度/片内终端电阻阻抗精度的ZQ校准
通过模式寄存器设置实现写入均衡
通过多用途寄存器实现读取均衡
对于DDR3：采用SSTL_15接口和电源，VDD/VDDQ = 1.5V（±0.075V）
对于DDR3L：采用SSTL_135接口和电源，VDD/VDDQ = 1.35V（-0.067V / +0.1V）
速度等级（列地址选通潜伏期-行地址到列地址延迟-行预充电时间）：2133 Mbps / 14-14-14；1866 Mbps / 13-13-13；1600 Mbps / 11-11-11
温度范围（Tc）：商用级 = 0°C ~ 95°C；准工业级（-T） = -40°C ~ 95°C；工业级（-I） = -40°C ~ 95°C
可编程功能：列地址选通潜伏期（6/7/8/9/10/11/13/14）；列地址选通写入潜伏期（5/6/7/8/9/10）；附加潜伏期（0/列地址选通潜伏期-1/列地址选通潜伏期-2）；写入恢复时间（5/6/7/8/10/12/14/16）；突发类型（顺序/交错）；突发长度（BL8/BC4/BC4或BL8动态切换）；自刷新温度范围（常规/扩展）；输出驱动器阻抗（34/40）；标称片内终端电阻值（20/30/40/60/120）；写入片内终端电阻值（60/120）；预充电掉电模式（慢/快）
封装/密度信息：符合无铅RoHS标准且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	4Gbit
	时钟频率(fc)	933MHz

	属性	参数值
	功能特性	自动预充电；自动刷新
	工作温度	0℃~+95℃