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NT5CC512M8EN-EK
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- 描述
- 4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性，所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。
- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT5CC512M8EN-EK
- 商品编号
- C2841152
- 商品封装
- VFBGA-78(8x10.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 4Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |