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G20P08K
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-20A,耐压:-80V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G20P08K
- 商品编号
- C2840769
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@30V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.5nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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