4435
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,5A | |
耗散功率(Pd) | 3.1W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
栅极电荷量(Qg) | 30nC@15V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.6nF@15V | |
反向传输电容(Crss) | 300pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
5+¥0.7368
50+¥0.7224
150+¥0.7128
500+¥0.7032¥2812.8
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起订量:5 个4000个/圆盘
总价金额:
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