GT080N10T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.257nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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1+￥4.2415￥4.99
10+￥3.468￥4.08
50+￥2.805￥3.3￥165
100+￥2.4225￥2.85￥142.5
500+￥2.193￥2.58￥129
1000+￥2.074￥2.44￥122
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