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G01N20LE
N沟道增强型功率MOSFET,电流:1.7A,耐压:200V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G01N20LE
- 商品编号
- C2840756
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,1.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@100V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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