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HYG101N10LA1D
N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG101N10LA1D
- 商品编号
- C2840473
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.515克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 51.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.072nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
商品特性
- 100V/15A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 125 mΩ(典型值)
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
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